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2023-06-16 发布于四川
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一种异质结激光器及其制备方法.pdf

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本文发明公开了一种异质结半导体激光器及其制备方法，利用双层AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛通过横向连接可构成Ⅰ型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)、接触层(6)和上电极(7)。本发明选用的材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将双层旋转AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛进行横向连接形成异质结。本文通过

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206447 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202110465099.2 (56)对比文件 (22)申请日 2021.04.28

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