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本发明涉及一种双凹槽阶梯缓冲栅4H‑SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法,属于功率半导体器件技术领域。本发明包括4H‑SiC半绝缘衬底层、P型缓冲层、第一凹槽和第二凹槽、N型沟道层;N型沟道层的上端面分别为源极帽层和漏极帽层,栅极与N型沟道层的上表面之间设置阶梯缓冲栅层;由漏极向栅极方向延伸一定距离形成场板,漏极与栅极之间设置钝化层Si3N4;第一凹槽设置和第二凹槽均设置在P型缓冲层的顶部,其中第一凹槽位于栅极下方,第二凹槽位于漏极帽层和场板的下方。本发明在P型缓冲层上方引入双凹槽,这大幅提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206156 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110469670.8 G06F 30/367 (2020.01)
(22)申请日
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