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2023-06-16 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括间隔设置的多个下电极；其中，所述下电极具有外侧部；设置于每个下电极周围并与每个下电极外侧部直接接触的支撑层；其中，所述支撑层包括间隔设置的多个开口部；每个所述开口部与若干所述下电极接触，每个所述下电极的侧壁外侧部至少部分与所述支撑层接触，且至少一个所述下电极的横切面与所述开口部的横切面的重叠部分的总面积大于单个所述下电极的横切面面积的70％。本申请中，即使该下电极与支撑层接触的部分面积很小，该下电极也不会倒塌，开口部得以暴露出该下电极的大

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206074 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110480911.9 (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人福建省晋华集成电路有限公司

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