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本发明提供了一种基于c轴倾斜的硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器,所述光探测器包括斜切基片、横向热电元件和金属电极;所述横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在所述斜切基片上生长的c轴倾斜的硒化铅薄膜。本发明中采用脉冲激光沉积技术制备的硒化铅薄膜热电元件质量高,工艺简单、成本低廉,对紫外光具有灵敏度高和响应时间短的优点,适用于设计探测灵敏度高、稳定性好、性能优异的硒化铅薄膜自驱动紫外光探测器,应用前景广阔。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113206184 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110486250.0 G01J 1/42 (2006.01)
(22)申请日 2021.04.
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