具有呈全环绕栅极构型的自对准竖直导电条带的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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具有呈全环绕栅极构型的自对准竖直导电条带的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠定位在衬底上方；存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构延伸穿过该交替堆叠；漏极选择层级沟槽，该漏极选择层级沟槽竖直延伸穿过至少一个漏极选择层级导电层并沿第一水平方向横向延伸，并且将每个漏极选择层级导电层划分成多个漏极选择层级导电条带；和成对的竖直导电条带，这些成对的竖直导电条带定位在该漏极选择层级沟槽中的相应漏极选择层级沟槽内。该竖直导电条带中的每个竖直导电条带具有沿该第一水平方向横向延伸的一对竖直笔直侧壁。每个

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113228251 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 201980085699.7 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理

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