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本发明公开一种半导体晶体管及其制作方法,其中该半导体晶体管包含一基底,具有第一导电型,其中所述基底具有一主表面;一离子阱,具有一第二导电型,位于所述基底中;彼此相区隔的一源极区和一漏极区,设于所述离子阱中,其中所述源极区和所述漏极区具有所述第一导电型;一外延通道层,具有所述第一导电型,从所述基底的所述主表面长出,并且位于所述源极区和所述漏极区之间;一栅极,设于所述外延通道层上;以及一栅极介电层,位于所述栅极和所述外延通道层之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224158 A
(43)申请公布日
2021.08.06
(21)申请号 20201
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