一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用.pdf

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本发明提供了一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用，属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明在La的晶格位置同时引入五种不同掺杂比例的稀土元素，增加了LaMgAl11O19价带顶与导带底之间的杂质能级数量，减小了禁带宽度，有利于杂质能级中的电子吸收红外光的能量向导带跃迁，进而提升相应波段的光谱发射率；本发明在LaMgAl11O19陶瓷材料中引入可以变价的Pr、Ce或Eu元素，当其价态发生变化时能增加体系中自由电子浓度(例如Pr3+向Pr4+变价)，从而促进自由载流子对红外光的吸收，也有利于光谱发射率

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113233876 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 202110515323.4 审查员张金苗 (22)申请日 2021.05.12

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