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有机铂族金属化学气相沉积装置和方法。该装置包括控温室以及位于控温室上方的真空沉积室。控温室中设置有：有机铂族金属升华器；载气盘管，设置有载气控制阀并与升华器的底部连通；以及反应气盘管，设置有反应气控制阀。主管道从升华器顶部延伸至真空沉积室底部以将二者相互连通，并设置有位于控温室中的主管道控制阀。反应气盘管与主管道控制阀上部的主管道部分连通。真空沉积室中设置有电加热体，电加热体的加热底面适于设置待沉积基底。根据本发明的CVD装置，在真空沉积室中利用电加热体对待沉积基底进行局部直接加热(冷壁沉积)，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113235066 A
(43)申请公布日 2021.08.10
(21)申请号 202110545544.6
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 重庆大学
地址 40
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