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本发明提供能够形成低电阻膜的技术。具有将第1工序、第2工序和第3工序依次重复的工序:第1工序,其具有第1处理,该第1处理中,与含金属气体的供给并行地,向处理室内的衬底供给含硅及氢且不含卤素的还原气体;第2工序,其具有第2处理和第3处理,该第2处理中,停止含金属气体的供给,维持还原气体的供给,该第3处理中,停止还原气体的供给,并且向处理室内供给非活性气体,维持与第2处理的压力同等的压力或调节为与第2处理的压力不同的压力;和第3工序,向衬底供给含氮气体。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113227450 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202080007011.6 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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