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实施方式提供一种半导体存储装置，能抑制连接于源极层的局域配线与位于其上的上层配线之间的通孔接点的熔融。本实施方式的存储器中，电路位于存储单元阵列的下方。源极层位于存储单元阵列与电路之间。从积层方向观察时，第1接点位于接点区域。第1接点贯通接点区域到达电路。第2接点跨及相邻2个单元区域及2个单元区域间的接点区域。第2接点在积层方向上贯通单元区域及接点区域设置到源极层。第1配线在接点区域中沿相对于第2接点的延伸方向交叉的方向延伸。第2配线设置在第2接点的正上方，在接点区域中沿第2接点延伸，与第1配线
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224076 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110017413.0 H01L 23/528 (2006.01)
(22)申请日
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