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本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法,所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层,其中:所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层,所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触;然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成,所述Ti层厚度较薄,可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti;Ti层可以有效抑制Al易氧化,同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257973 B
(45)授权公告日 2022.05.27
(21)申请号 202011418472.0 H01L 33/36 (2010.01)
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