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得到能够改善电容特性的半导体装置。在第1导电型的半导体衬底(1)的上表面侧形成有多个栅极沟槽(2)。栅极电极(3)填埋于多个栅极沟槽(2)。多个哑栅极沟槽(9)在半导体衬底(1)的上表面侧,以等间隔形成于相邻的栅极沟槽(2)之间。哑栅极电极(10)填埋于多个哑栅极沟槽(9),连接于发射极电极(13)。相邻的栅极沟槽(2)和哑栅极沟槽(9)的间隔比相邻的哑栅极沟槽(9)彼此的间隔小。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224145 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110136014.6
(22)申请日 2021.02.01
(30)优先权数据
2020-0189
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