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红外发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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    本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型AlGaAs限制层与多量子阱层之间增加第一应力调整层，应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，第一应力调整层生长时会积累张应力，张应力会被多量子阱层的压应力抵消，最终得到的多量子阱层中的压应力较少，提高多量子阱层的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层以下的底

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113224213 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110288849.3 H01L 33/06 (2010.01)

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