去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材.pdf

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本发明提供一种去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材，属于半导体技术领域，去除氮化镓表面污染物的方法包括以下步骤：将预清洗的氮化镓样品浸入清洗液中浸泡，所述清洗液为双氧水和碱液的混合溶液；将浸泡结束后的氮化镓样品取出、冲洗、干燥；将干燥后的氮化镓样品在混合气氛中热处理，所述混合气氛由氮气、氢气和氨气组成。本发明通过双氧水和碱液的混合溶液刻蚀掉氮化镓表面的硅污染物，并形成均匀的致密氧化薄膜，防止氮化镓表面再次被空气中的硅杂质污染；再在混合气氛下处理氮化镓样品，可以使氮化镓表面的氧化薄膜分解，得到原

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113231386 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110424840.0 H01L 21/02 (2006.01)

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