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存储器件的制作方法.pdf

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    本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在存储单元区域和逻辑区域依次形成第三隔离层和第四隔离层；在第四隔离层表面形成第一BARC；对第一BARC进行去除处理，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC；在第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，在存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅，在逻辑区域形成逻辑器件的栅极。本申请通过在晶圆上形成第一BARC后，对第一BARC进行去除，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206097 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202110446864.6 H01L 21/027 (2006.01)

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