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半导体装置的形成方法.pdfVIP

半导体装置的形成方法.pdf

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    本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括形成延伸到半导体基板中的隔离区域；以及使隔离区域凹入。在凹入的步骤之后，在介于隔离区域之间的半导体材料的部分高于隔离区域的顶表面突出，以形成半导体鳍片。前述方法进一步包括形成栅极堆叠物，其包括：形成栅极电介质于半导体鳍片的侧壁以及顶表面上；以及沉积作为功函数层的氮化钛层于第一栅极电介质之上。在介于大约300℃以及大约400℃之间的范围的温度下沉积氮化钛层。形成源极区域以及漏极区域在栅极堆叠物的两侧上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257742 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110120277.8 (22)申请日 2021.01.28 (30)优先权数据

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