一种具有高导通能力的氮化镓晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种具有高导通能力的氮化镓晶体管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种具有高导通能力的氮化镓晶体管及其制备方法。由下至上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN沟道外延层，AlGaN势垒层，在栅区刻蚀下方AlGaN势垒层形成栅区凹槽、在源区和漏区刻蚀下方AlGaN势垒层形成阵列孔，在凹槽和阵列孔中选区生长AlGaN二次外延层，二次外延形成的栅区凹槽上生长栅介质层，源区和漏区的阵列孔上形成源极和漏极，凹槽沟道处的栅介质层上覆盖栅极。本发明器件和制备工艺简单可靠，通过在源/漏区和栅区进行干法刻蚀和选区二次外延生长技术，有效减小了器件在源/漏区的欧姆接触电阻和栅区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224155 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110379231.8 (22)申请日 2021.04.08 (71)申请人中山大学地址 51

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