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本发明公开了一种孔洞的硅外延填充方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成硬质掩膜层的图形并对半导体衬底进行刻蚀形成孔洞。步骤二、采用共形外延生长工艺在孔洞的内侧表面上形成第一硅外延层；第一硅外延层的厚度要求保证孔洞具有开口。步骤三、采用刻蚀沉积循环外延生长工艺在孔洞内从底部到顶部生长第二硅外延层，由第一硅外延层和第二硅外延层叠加形成无空洞的硅外延填充层。本发明能对孔洞实现无空洞填充，从而能提高填充质量；特别适用于CMOS图像传感器的孔洞填充工艺中，从而能对光电二极管的纵向尺寸进行很好的拓展并实现高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113224093 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202110380420.7 (56)对比文件
(22)申请日 2021.04.09
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