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本发明公开了一种2DWS2/InGaNII型异质结自驱动蓝光探测器及其制备方法与应用;该蓝光探测器由下至上依次包括:Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、u‑GaN缓冲层、InGaN层;所述InGaN层上有SiO2窗口层、2DWS2层、第一金属电极;所述2DWS2层上有第二金属电极。本发明通过在InGaN层上引入2DWS2层,利用2DWS2材料禁带宽度为2eV及其能带结构特点,能够与InGaN层实现II型异质结结构,在界面上形成内建电场,电子将向2DWS2层迁移,空穴将向InGaN
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113224198 B
(45)授权公告日 2022.07.26
(21)申请号 202110391226.9 H01L 31/0336 (2006.01)
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