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本发明提供一种可调延时线芯片及其制作方法，可调延时线芯片包括基底层、波导芯层、上包层以及温控层；基底层具有一光刻面；波导芯层设于光刻面上，波导芯层内用以光波传播；上包层设于波导芯层的外侧面上，呈包覆波导芯层设置；温控层设于上包层背向波导芯层的侧壁面上，温控层用以控制温度变化；其中，波导芯层的折射率呈大于基底层和上包层的折射率设置。波导芯层设于基底层与上包层之间，光波在波导芯层内折射传播，温控层控制温度变化，通过热光效应，温度越高，折射率会增大，改变波导芯层的折射率，进而控制波导芯层的延时可调节，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113219680 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110503089.3
(22)申请日 2021.05.08
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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