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本发明提供了一种硅基ZnO量子点减反射膜及其制备方法,我们用溶胶‑凝胶法制备ZnO量子点,经过离心洗涤之后分散在无水乙醇中,然后通过提拉浸渍镀膜法镀在单晶硅上。这种镀膜的方式具有很大的优势,它具备溶胶‑凝胶法镀膜的优点,而且在单晶硅上镀膜之后的ZnO量子点薄膜无需退火,因为ZnO量子点镀膜液只有ZnO和无水乙醇,没有其他的有机物存在,不需要高温退火除去,而且ZnO量子点的尺寸小,分布于2‑10nm之间,可以减少光的散射。在实验中ZnO量子点的尺寸是可以通过反应时间和温度来调节的,调节ZnO量子点
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224177 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110396253.5
(22)申请日 2021.04.13
(71)申请人 上海西源新能源技术有限公司
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