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2023-06-16 发布于四川
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一种雪崩探测器.pdf

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本发明公开了一种雪崩探测器及其探测方法，所述雪崩探测器，包括：半导体基体，所述半导体基体内有柱状电极和沟槽电极。由于所述沟槽电极环绕所述柱状电极的中心轴设置，所以在所述沟槽电极施加负偏压时，器件的电势分布会很均匀，不会有电势死角。并且，当多个所述雪崩探测器形成阵列时，他们之间可以共用沟槽电极，有利于形成雪崩探测器阵列。所以，解决了现有雪崩探测器结构复杂、需要保护环、电场分布不均匀以及形成阵列时死区比例大从而探测效率低的技术问题，实现了易于制造并提高了器件的性能的技术效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224196 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110481114.2 (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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