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一种半导体存储器件的形成方法，包括以下步骤。首先，提供衬底，并且在所述衬底中形成多个栅极结构，每个所述栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸。接下来，在所述衬底上形成多个隔离鳍片，其中每个所述隔离鳍片彼此平行并且分别在每个所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸。在形成所述隔离鳍片之后，在所述衬底上形成沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸的至少一位线，其中所述至少一位线包括沿着垂直于所述衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个所述引脚与每个所述隔离鳍片在所述第二方向交替排列。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113241324 A
(43)申请公布日 2021.08.10
(21)申请号 202110500294.4
(22)申请日 2021.05.08
(71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司
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