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基于硅通孔技术的三维MIM电容器及其制备方法.pdfVIP

基于硅通孔技术的三维MIM电容器及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种基于硅通孔技术的三维MIM电容器及其制备方法，三维MIM电容器包括硅衬底，所述硅衬底上刻蚀盲孔阵列，所述硅衬底表面和盲孔内壁沉积绝缘层，所述绝缘层上依次制作有第一金属层、介质层、第二金属层和种子层，所述盲孔内填充有金属材料作为硅通孔金属层。制备方法包括：采用干法刻蚀技术在硅片表面形成深孔，采用等离子化学气相沉积技术制作绝缘层，采用磁控溅射技术制作种子层，采用电镀工艺对孔进行铜填充，采用化学机械抛光去除多余的铜。本发明有效解决了传统二维MIM电容的电容密度较低的问题，实现了三维MI

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206196 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110468327.1 (22)申请日 2021.04.28 (71)申请人 上海交通大学 地址

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