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提供双精度模拟存储器单元及阵列。在一些实施方式中，一种存储器单元包括：具有输入端和至少一个输出端的非易失性存储元件；以及具有多个输入端和输出端的易失性存储元件，该易失性存储元件的输出端连接至所述非易失性存储元件的输入端，该易失性存储元件包括：连接于第一电源和公共节点之间的第一晶体管；以及连接于第二电源和所述公共节点之间的第二晶体管，其中，所述公共节点连接至所述易失性存储元件的输出端，以及所述第一和第二晶体管的栅极连至所述易失性存储元件的所述多个输入端当中的相应的输入端。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113228179 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 201980078991.6 (72)发明人 吕志超 赵亮
(22)申请日 2019.11.24
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