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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CIS(CMOSImageSensor，CMOS图像传感器)器件的隔离结构制作方法。CIS器件的隔离结构制作方法包括以下步骤：提供所述CIS器件的基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；在所述基底层的上表面上制作形成硬质掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得所述硬质掩模层定义出所述隔离结构的图案；基于带有所述图案的硬质掩模层，进行多次刻蚀，使得按照刻蚀先后顺序，各次刻蚀过程中刻蚀速率，先逐渐递增后逐渐递减，以刻蚀去除未覆盖有所述硬质掩模层的基底层，形成由
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270434 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110270104.4
(22)申请日 2021.03.12
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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