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本发明涉及一种多场板射频HEMT器件及其制备方法，该射频HEMT器件通过在AlGaN势垒层两侧端设置第一N型掺杂GaN层和第二N型掺杂GaN层，进而在第一、第二N型掺杂GaN层上设置源极和漏极形成N型源极和漏极提高2DEG浓度增加电子迁移率，从而使导通电阻减小并改善截止频率的线性度，使得器件能够在高频下保持较好的工作状态；另一方面，栅极的两侧分别设置连接至栅极的第一栅极场板和第二栅极场板，第一、第二栅极场板与势垒层之间设置P型掺杂的GaN层，N型源极上设置延伸至栅极和栅极场板的源极场板，进一步调
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257896 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110510963.6 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申请日
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