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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

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本公开提出一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包含图案化掩模层以及半导体材料以形成第一鳍片以及第二鳍片和插设于第一鳍片以及第二鳍片的沟槽。于第一鳍片、第二鳍片以及沟槽上方形成第一衬层。于第一衬层上方形成绝缘材料。执行第一退火，接着执行绝缘材料的第一平坦化以形成第一平坦化绝缘材料。其后，第一平坦化绝缘材料的顶表面系在掩模层的顶表面上方。执行第二退火，接着执行第一平坦化绝缘材料的第二平坦化以形成第二平坦化绝缘材料。蚀刻绝缘材料以形成浅沟槽隔离(STI)区域且于半导体材料上方形成栅极结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270488 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110347253.6 H01L 21/762 (2006.01)

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