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本发明提供了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底分为存储区、逻辑区和PIP电容区，在PIP电容区的所述衬底上形成有沟槽隔离结构；形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述衬底的存储区、逻辑区和PIP电容区的所述沟槽隔离结构；刻蚀所述逻辑区和PIP电容区的第一多晶硅层，在所述PIP电容区形成条状的下极板或者台阶状的下极板；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述条状的下极板或者台阶状的下极板；形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述绝缘介质层，在所述PIP电容区形成上极板，所述下极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270547 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110547519.1
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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