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一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管.pdfVIP

一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管.pdf

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    本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管(Ga2O3JFET)。本发明的主要特征是引入能与N型氧化镓形成PN异质结的P型氧化物使Ga2O3增强型JFET得以实现，同时器件漂移区上部两侧沿纵向方向分段的P氧化物栅区及横向两侧P氧化物栅区之间的P氧化物区可使Ga2O3JFET相较常规JFET器件，正向导通时具有多沟道，反向耐压时电场分布调制，从而器件在实现增强型的同时，兼具低导通电阻、高耐压和高可靠性，进一步发挥氧化镓材料的优势。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113257922 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202110521158.3 H01L 29/24 (2006.01)

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