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提供一种功耗低且具有耐高温性高的半导体装置。本发明是包括第一电路、第二电路、第一单元、第二单元、第一布线以及第二布线的半导体装置。第一单元包括第一晶体管，第二单元包括第二晶体管。第一晶体管、第二晶体管在亚阈值区域中工作。第一单元通过第一布线与第一电路电连接，第一单元通过第二布线与第二电路电连接，第二单元通过第二布线与第二电路电连接。第一单元将流过第一晶体管的电流编程为第一电流，第二单元将流过第二晶体管的电流编程为第二电流。此时，对应于第二电流的电位从第二布线输入到第一单元。接着，通过从第二电路使
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113892109 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202080038792.5 (71)申请人 株式会社半导体能源研究所
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