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一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品.pdfVIP

一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品.pdf

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    本发明涉及一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品，利用简单可控的磁控溅射镀膜法在衬底材料上直接制备出厚度均匀的过渡金属薄膜，再进行RIE反应离子刻蚀，利用具有化学反应性的气体与过渡金属薄反应，形成图案化的过渡金属薄膜，最后将图案化的过渡金属薄膜放入管式炉，利用硫粉升华与过渡金属发生反应进行硫化，最后生成图案化的硫化物，为二维材料在电子学与光电子学器件领域提供前瞻性工作。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113265635 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110471438.8 (22)申请日 2021.04.29 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址

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