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半导体元胞结构.pdfVIP

半导体元胞结构.pdf

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    本发明提供了一种二极管元胞结构，包括N+衬底，N+衬底的背面设有背金属层，N+衬底的正面依次设有N‑外延区、栅氧层、多晶硅、金属化层；所述N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区，金属化层的背面设有凸起部，凸起部嵌入P型基区，凸起部周围设有N+区，N+区和P型基区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明的二极管元胞结构的二极管芯片，相比于PN结结构，具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点；相比于肖特基二极管，具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点；另外，本发明导通压降小，能耗低，产热量小，耐用性强。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270503 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110491421.9 (22)申请日 2021.05.06 (71)申请人 中国振华集团永光电子有限公司

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