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本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括沟道、栅极结构和源极/漏极层。沟道在垂直方向上堆叠。每个沟道在第一方向上延伸。栅极结构在第二方向上延伸。栅极结构覆盖沟道。源极/漏极层在衬底上连接到沟道的在第一方向上的相反侧壁中的每个，并包括掺杂的半导体材料。源极/漏极层包括分别具有第一杂质浓度和第二杂质浓度的第一外延层和第二外延层。第一外延层覆盖第二外延层的下表面和在第一方向上的相反侧壁。栅极结构的在第一方向上的相反侧壁中的每个的一部分在第一方向上从沟道的在第一方向上的相反侧壁突出，以部分地贯穿第一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270483 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202011545324.5 H01L 29/78 (2006.01)
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