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一种高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

一种高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

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    本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，晶体管包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，设置在有源区处的源极和漏极之间栅极区域处势垒层表面的P型氮化物栅层，在P型氮化物栅层上设置栅极；于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层表面的P型氮化物栅层为沿着栅宽方向M个P型掺杂区的掺杂浓度不规则排列。采用本发明晶体管及其制作方法，形成M个P型掺杂区不规则排列，形成具有不同关断电压的区域栅极，沿着栅宽方向形成不同的关断电压不规则排布，保证总体器件在开态漏

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113257891 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110457319.7 H01L 21/338 (2006.01)

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