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2023-06-17 发布于四川
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一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法.pdf

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本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法，所述材料为Na掺杂和Pb固溶的SnSe晶体，Sn、Se、Pb和Na的摩尔比为(1‑x‑y):1：y：x；其中，0.015≤x≤0.025，0.05≤y≤0.11。本发明提供的P型SnSe晶体可用于热电制冷材料，室温下，其功率因子PF≥70μWcm‑1K‑2，室温ZT值≥1.2；基于所得SnSe晶体搭建的单臂温差测试平台，可在2A的电流下实现～17.6K的制冷温差。本发明通过改良定向凝固法，利用连续温区缓慢降

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270534 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110622513.6 (22)申请日 2021.06.04 (71)申请人北京航空航天大学地址

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