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本发明涉及压电陶瓷技术领域，尤其涉及一种三元压电陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的三元压电陶瓷的化学组成为：(1‑x‑y)BiFeO3‑xPbTiO3‑yBa(HfmTi1‑m)O3‑zMnO2。本发明通过引入Hf离子，可以大幅度提高三元压电陶瓷的压电性能，离子半径较大的Hf离子取代了离子半径较小的钛离子使得四方畸变度减小。氧化锰掺杂相较于现有技术的碳酸锰掺杂具有更高的体密度和电阻率，从而使的氧化锰掺杂的样品具有更高的压电性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113248247 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110698411.2
(22)申请日 2021.06.23
(71)申请人 上海大学
地址 20
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