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本发明公开了一种改善大直径半导体硅片背封针孔不良的方法，其实验方法包括以下步骤：S1、首先机：通过Pre‑cvd清洗机进行LTO前清洗，联动二次配人员增加有害排风的变频风扇，在稳定设备有害排风后再调整一般排风，最终保证设备腔体压力平衡，增加变频排风可以稳定有害排风的波动，防止在成膜过程中由于排风波动导致粉尘掉落在硅片上形成针孔不良，其次，稳定腔体压力平衡可以防止外界的粉尘在硅片成膜前或成膜过程中进入设备腔体掉落在硅片上形成针孔不良；S2、然后法：编订设备喷头清理保养作业指导书，根据设备喷头累计膜
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113249705 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110382030.3 H01L 21/02 (2006.01)
(22)申请日 2
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