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2023-06-17 发布于四川
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一种骤回瞬态电压抑制器.pdf

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本发明公开了一种骤回瞬态电压抑制器，属于半导体保护器件领域，包括：外延层形成于衬底上；多个预设区域形成于外延层中且被隔离结构隔离；第一预设区域和第五预设区域包括第一P+区、第一N+区和第二P+区；第二预设区域和第四预设区域包括第二N+区、第三P+区和第三N+区；第三预设区域包括第一P型阱区、第二P型阱区、形成于第二P型阱区内的第四N+区，形成于第一P型阱区内的两个第四P+区和两个第五N+区；介质层形成于外延层的上表面，介质层中包括对应每个P+区和N+区的金属孔；多个金属层形成于每个金属孔中。本发

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257806 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110722838.1 (22)申请日 2021.06.29 (71)申请人上海维安半导体有限公司

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