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一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路.pdfVIP

一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路.pdf

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    本申请公开了一种GaNHEMT功率器件的动态电阻测试电路，包括陪测GaNHEMT功率器件、待测GaNHEMT功率器件和钳位电路；陪测GaNHEMT功率器件和待测GaNHEMT功率器件组成半桥结构，且陪测GaNHEMT功率器件做半桥结构的上桥，待测GaNHEMT功率器件做半桥结构的下桥；钳位电路的输入端与待测GaNHEMT功率器件的漏极和源极相连接。本方案可以清晰地表征GaNHEMT功率器件在实际使用过程中连续的动态电阻特性，从而能够定量评估GaNHEMT功率器件在实际应用中的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113252987 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110754326.3 (22)申请日 2021.07.05 (71)申请人 西安众力为半导体科技有限公司

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