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本发明提供一种半导体激光列阵及其制备方法，其中的半导体激光列阵包括外延结构，在外延结构上制备有激光器波导结构，激光器波导结构包括沿外延结构的宽度方向从激光器波导结构的反射面至出射面刻蚀而成的变周期高阶光栅阵列和脊形增益波导阵列，变周期高阶光栅阵列的周期由中心向两侧逐渐增大，使得半导体激光列阵的输出激光的光谱未超出碱金属元素的吸收光谱范围；脊形增益波导阵列用于增益放大半导体激光列阵的输出激光的功率。本发明提供的半导体激光列阵能够保证输出激光的光谱线宽小于0.5nm，未超出碱金属元素的吸收光谱范围，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113258447 B
(45)授权公告日 2022.02.25
(21)申请号 202110542322.9 (51)Int.Cl.
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