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本发明实施例提供了一种半导体器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层，对第一掩膜层和第二掩膜层进行刻蚀，形成暴露出衬底的凹槽，在凹槽暴露出的衬底以及第二掩膜层上形成金属层，并去除第一掩膜层、第二掩膜层以及第二掩膜层上的金属层，保留凹槽暴露出的衬底上的金属层。由于第一掩膜层和第二掩膜层是采用沉积工艺制作在衬底上的薄膜层，而并不是光刻胶层，因此，即便后续形成金属层的沉积工艺温度过高，也不会对第一掩膜层和第二掩膜层产生影响，即采用沉积工艺形成的第一掩膜层和第二掩膜层对金属层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257662 B
(45)授权公告日 2021.09.24
(21)申请号 202110792961.0 (51)Int.Cl.
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