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本公开涉及具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法。本文公开了实现减小的电容和/或电阻的中段制程(MOL)互连以及用于形成该MOL互连的相应技术。示例性MOL互连结构包括布置在第一绝缘体层中的器件级接触件和布置在第一绝缘体层之上的第二绝缘体层中的钌结构。器件级接触件与集成电路特征物理接触，并且钌结构与器件级接触件物理接触。气隙将钌结构的侧壁与第二绝缘体层隔开。钌结构的顶表面低于第二绝缘体层的顶表面。布置在第三绝缘体层中的通孔延伸得低于第二绝缘体层的顶表面以与钌结构物理接触。虚设接触间隔件层的剩余部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948495 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202110387424.8 H01L 21/768 (2006.01)
(22)申请日
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