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公开了半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括：衬底，包括彼此间隔开的第一区域和第二区域，其中器件隔离层介于所述第一区域和所述第二区域之间；第一栅电极和第二栅电极，分别位于第一区域和第二区域上；绝缘分离图案，将第一栅电极和第二栅电极彼此分离，并在横穿第一方向的第二方向上延伸；连接结构，将第一栅电极电连接到第二栅电极；以及第一信号线，电连接到连接结构。第一栅电极和第二栅电极在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此对准。第一信号线可以在第二方向上延伸并且可以与绝缘分离图案竖直地重叠。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948511 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202110470776.X
(22)申请日 2021.04.28
(30)优先权数据
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