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本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种方法包括：在电介质层之上形成第一心轴和第二心轴；以及在所述第一心轴和所述第二心轴上分别形成第一间隔件和第二间隔件。所述第一间隔件和所述第二间隔件彼此相邻，并且在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间具有空间。蚀刻所述电介质层以在所述电介质层中形成开口，其中，所述开口与所述空间重叠，并且其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件用作所述蚀刻中的蚀刻掩模的一部分。将导电材料填充到所述开口中。对所述导电材料执行平坦化工艺。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948452 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202110861455.2
(22)申请日 2021.07.29
(30)优先权数据
63/085,20
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