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实施方式提供一种可适宜地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:2个存储块,在第1方向上排列,且在与第1方向交叉的第2方向上延伸;多个第1延伸体,分别设置于在第1方向上相邻的2个存储块之间,且在第2方向上延伸;及第2延伸体,在第2方向上与2个存储块相离,且在第1方向上延伸。2个存储块具备在与衬底的表面交叉的第3方向上排列的多个第1导电层。第1延伸体在第3方向具有一端及另一端,一端比另一端更靠近衬底,一端比多个第1导电层中的最靠近衬底的第1导电层更靠近衬底。第2延伸体在第3方向具有一端
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903743 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202110208577.1
(22)申请日 2021.02.24
(30)优先权数据
2020-1161
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