一种逆导型碳化硅n-GTO晶闸管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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一种逆导型碳化硅n-GTO晶闸管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种逆导型碳化硅n‑GTO晶闸管半导体器件，包括自下而上设置的阳极结构、漂移层结构、门极结构以及阴极结构；阳极结构包括自下而上设置的阳极金属电极、第一掺杂类型P+注入层、第一掺杂类型P缓冲层以及设置在右边的第二掺杂类型N+层；漂移层结构包括自下而上设置的第二掺杂类型N场截止层和第二掺杂类型N‑漂移层；门极结构包括自下而上设置的第一掺杂类型P基区和栅极金属电极。该半导体器件结构通过将n‑GTO晶闸管与反向续流PiN二极管集成在同一器件结构上,从而有效降低芯片面积，提高系统功率密度和集成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113270493 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110532677.X (22)申请日 2021.05.17 (71)申请人湖南大学地址 41

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