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2023-06-17 发布于四川
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本发明公开了一种肖特基二极管及其制作方法和芯片，肖特基二极管包括衬底、势垒层、二氧化硅层、阻挡层、缓冲层和电极层，所述势垒层设置在所述衬底的表面，由金属硅化物材料构成；所述二氧化硅层设置在所述衬底上，位于所述势垒层的两侧；所述阻挡层设置在所述二氧化硅层和势垒层上，由TaN材料构成；所述缓冲层设置在所述阻挡层上，由Ta材料构成；所述电极层设置在所述缓冲层上。通过在势垒层和电极之间设置由TaN材料构成的阻挡层和由Ta材料构成缓冲层，使得在高温条件下，不易形成势垒层和电极层之间的扩散通道，防止势垒层和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257893 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110479822.2 (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人北海惠科半导体科技有限公司

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