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2023-06-17 发布于四川
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一种光蚀刻系统，用于控制极紫外光微影光源中的电浆位置，此系统可包括真空腔室；液滴产生器，用以将液滴流分配至真空腔室中，其中液滴是由金属材料形成；激光光源，用以将包括至少第一脉冲及第二脉冲的多个激光脉冲发射至真空腔室中；感测器，用以侦测腔室内的已观察到的电浆位置，其中已观察到的电浆位置包括多个激光脉冲将液滴流的液滴汽化以产生发出极紫外光辐射的电浆的位置；及第一反馈回路，将感测器连接至激光光源，其中第一反馈回路调整第一及第二脉冲之间的时间延迟以最小化已观察到的电浆位置与目标电浆位置之间的差。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113267962 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110176336.3 (22)申请日 2021.02.07 (30)优先权数据 16/900,73

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