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一种单片化方法,将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化,包括:第1工序,在上述晶片的上表面形成表面保持膜;第2工序,将上述晶片的下表面减薄加工;第3工序,从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去;第4工序,在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层;第5工序,向上述金属层的下表面粘贴切割带;第6工序,对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理;第7工序,在上述晶片的表面形成水溶性保护层;第8工序,向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113964087 A
(43)申请公布日 2022.01.21
(21)申请号 202111195720.4 H01L 21/304 (2006.01)
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